光电子集成电路相关论文
对于电脑,大家已经比较熟识,而谈到光脑大家也许就感 到陌生了。其实,制造光脑的尝试,科技界早在20世纪50年代便开始了。直至20世......
光电子学:又一次技术革命1948年晶体管的发明被誉为是一种创新技术事件。它的影响海啸般地横扫了电子产业界,产生了后来的便携式电视、口......
本电路是一种集成单片结构,它包括一个p-i-n光学器件和一个诸如场效应晶体管之类的电子器件。光学器件呈一种p-i-n台面结构形状。......
文章描述硅双极高速工艺,和一种能与双极工艺相容的硅PIN探测器的结构及设计,从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成......
一、调制器与开关1.通过铸造业务使用ASOC光电子集成电路 的过程(特邀文章,A.G.R.Rickman,英国 Brookham技术公司)2.硅基光电子结......
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活细胞的光学诊断法Ⅳ=Optical diagnostics of livingcells Ⅳ//Proc.SPIE.-2001, 4260. -258p三维和多维显微术:图像捕获与处理......
光电子技术是继微电子技术之后近十几年来迅速发展的高技术。像微电子集成电路设计一样,不论是器件级模拟还是电路级模拟,光电子集......
<正>2015年2月15日,习总书记视察西安光机所时指出:"转方式调结构,首先是创新驱动,科技创新是根本"。同时强调"核心技术靠化缘是要......
有个人得到一盏神灯有个人得到一盏神灯,神灯里的灯神可以为他做任何事情为他做任何事情。阿拉丁神灯的故事,你熟悉吧悉吧?当然,这......
日本大阪大学基础工学部的小林猛教授等人发现,在液氮温度下,出现超导现象的陶瓷类超导物质,受到激光照射后,能发出照射激光波长......
K(Ta,Nb)O_3具有良好的电光特性、非线性光学特性和热释电特性.K(Ta,Nb)O_3薄膜在光电子集成电路中有着良好的应用前景.国外主要......
信息和通讯技术的发展,使人们希望制造出适应当今硅基集成技术的硅基光电子集成电路.为此必须首先制备出硅基可见光发射器件,但由......
本书作者早期曾写过一本名为“红外系统设计入门”的书,由美国SPIE协会光学工程出版社于1996年出版。书中介绍了材料、探测器、光......
近年来,在同一衬底上单片集成光电子器件的研究相当活跃,现已报导的一些光电子集成电路(OEIC),大多采用液相外延(LPE)生长多层结......
日本明治大学工学部植草新一郎等运用独创的低温工艺试制成在InP衬底上集成二极管、晶体管和光波导等器件,并证实具有实用价值。I......
本文报导了1.3μm 波长范围的激光二极管及其高速激励电路首次成功地集成在一起的情况。在这种光电子集成电路中,利用在同一衬底上......
半导体薄膜的选区外延具有实现二维或三维集成电路器件的潜力。用绝缘材料窗口进行选区外延,可以在分隔的平面几何图形内制做器件......
本文研究了 InGaAs外延层中的Be~+注入,采用SIMS、电化学C-V和Hall等方法进行了测试分析,结果表明:采用低于700℃的近似包封变温热......
本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在......
演示了高灵敏度长波 InGaAs/InP 单片PIN 场效应晶体管光电子集成电路(OEIC)接收器。该光电子单片集成电路采用倒相放大器,用离子......
描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片......
《IEEE Photonics Technology Letter》1990年7月号报道了首次研制的长波长InP/InGaAs p-i-n/HBT光电单片集成电路跨阻抗型(Transi......
近年来,有许多利用非晶硅锗合金(a-Si_(l-x)Ge_x·H)作为长波长光探测器材料的研究报导.p-i-n结构的a-SiGe∶H二极管已成功地用于......
未来宽带光通信和开关网络所需的许多信号处理功能将在以波导为基础的系统中最有效地实现,在此系统中,光电子集成电路起着能识别......
C.基于HBT的光电子集成电路接收器 基于异质结双极晶体管(HBT)和PIN光电二极管的光电子集成电路接收器也是令人感兴趣的器件,因为......
虽然上述单个元件为研究工作带来了许多问题和机会,但最重要和最难的问题是把这些器件集成起来,那怕只集成几个器件。这些困难已......
化合物半导体微电子技术工程研究中心的长远目光集中在新一代高速通信和数据处理技术上,后者将开发光学互连的连通性、带宽以及对......
光电子集成电路(OEIC)以其体积小、结构紧凑、寄生效应小以及低成本、低功耗的优点成为实现超大容量信息高速传输、处理、交换和存......
介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择......
由于金属-半导体-金属光电探测器潜在的优点,用于光通信、高速片到片互连、以及光控受到极大关注,文中介绍这种光探测器及其与放大器单......
晶体管激光器在作为开关时,具有比二极管激光器速度更快的潜能。 自1947年John Bardeen和Walter H.Brattain首次成功实验验证晶体管......
文章描述硅双极高速工艺,和一种能与双极工艺相容的硅PIN探测器的结构及设计,从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研究的单片集成......
江汉大学曹元成教授团队与英国兰开斯特大学半导体中心首席研究员庄乾东博士团队合作研发新材料,可大幅提高红外探测灵敏度。英国自......
近年来,有许多利用非晶硅锗合金(a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>·H)作为长波长光探测器材料的研究报导.p-i-n结构的a-SiGe......
描述了光学互联控制和信号处理GaAs光电子集成电路的设计、建立和特性。介绍了实现实用光学互联的要求和方法。给出了光发射器和接......
由于具有可集成和器件固有速度的内在优势,InP光电子集成接收机在高速咣纤通信系统和波分复用网络方面具有重要的应用,本文介绍了最近的......
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl(Ga)As:InP和InGaAs:InAlAs的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上MSM光探测器的光响应度可达到0.5A/W,HEMT器件......
<正> 由于光纤通信技术的飞速发展和庞大的通信市场需求,把光学和电学功能集成在同一个衬底上的器件极受欢迎。随着Si和InP、GaAs......
自1983年H.Ennen等报道掺铒硅(Er∶Si)的低温发光以来,人们对掺铒硅和硅化物的光致发光和电致发光性质产生了极大的兴趣,并进行了......
<正> Melles Griot公司生产出一种新式的光束分析器,它能同时测量连续激光束的强度、两维或三维分布和装置。分析器由一个硅探测器......
集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题。制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈。硅是间接带隙半导体,......