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研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC).MMIC采用三级级联放大结构......
研制了一款60～90 GHz 功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC 采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出......
发生于MIMO发射端天线间的串扰与PA非线性的结合,使得MIMO发射端的非线性校正比SISO系统更为复杂。传统适用于SISO发射端的数字预......
设计了一种基于双核NiosII系统的数字预失真器（DPD）。在FPGA中构建多查找表结构，实现了基于记忆多项式模型的DPD；采用双核处理器完成并......
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱......
基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器(HPA)。根......
介绍了一款基于55 nm CMOS工艺,带温度补偿电路的Ka波段堆叠高效功率放大器(power amplifier,PA).采用了一种新型的针对晶体管堆叠......
相位误差是GSM手机的一项重要指标，过大的相位误差会造成通话的质量下降，直接影响用户的使用。主要针对相位误差的产生原因以及如何......
基于功率放大器(PA)效率提高技术,设计了一套包络跟踪(ET)功率放大器系统,射频(RF)功率放大器的漏极采用三电位G类结构的包络跟踪......
E类功率放大器(PA)具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电......
