外延层质量相关论文
10KV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速SiC外延生长工艺要求.4度4H-SiC厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台......
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，可以用于制造高温、高功率和高频电子器件。许多科研工作者都在研究SiC的抛光工艺用来制作......
本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较......
本文利用同步辐射X射线高分辨衍射、掠入射表面衍射、原子力显微镜、电子显微镜等手段研究了SiGe外延层的生长质量、组分与作为缓......
通过在颗粒硅带(SSP--Silicon Sheet from Powder)衬底上进行外延多晶硅薄膜、发射区扩散、掩膜法制作上下电极等工艺,制备了以颗......
ＳｉＧｅＣ三元合金近年来成为人们的研究热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带。该文介绍了用ＵＨＶ／ＣＶＤ生长的掺碳达２．２℅的锗硅......
