报道了InP衬底AlAs／In0.53Ga0.47As／AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管（RTD）器件的研制．结构材料由分子束外延制备，衬底片为（001）半绝缘InP单......

在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品，室温下测量的最高峰．谷电流比为18．39．通过模拟得到RT......