氢化微晶硅相关论文
本文采用改进大面积(45cm×45cm)等离子增强化学气象沉积(PECVD)方法,在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H),用于薄膜硅太......
研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的......
供压敏元件用的n型氢化微晶硅薄膜用射频辉光放电法己被制成,并对它进行了研究。用改变工艺参数的办法可得到电导率为2.SScm~(-1)～1......
以SiH4和H2为反应气源，建立了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜的气相反应模型，模拟了典型的μc-Si：H......
研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的......
微晶硅薄膜与非晶硅薄膜相比,有希望在太阳电池应用中提供更好稳定性和转化效率。微晶硅薄膜的间接带隙特性使得它的吸收系数比较......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法,在保持其它参量不变的条件下,通过改变SiH4浓度(SC)成功地制备了一系列Si基......
硅基薄膜电池主要包括氢化非晶硅电池、氢化微晶硅电池、多晶硅薄膜电池以及硅薄膜叠层电池。本文归纳了硅基薄膜材料和器件的微观......
