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研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050~1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)......
在退火处理时,Ge易与Si中O形成易挥发的GeO复合体,使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和GeO挥发两种因素制约。即从效果上看,Ge增强了氧的外扩散,有......
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(Voids)的影响,样品在1050-1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶......