流动图形缺陷相关论文
本文对轻掺硼原生直拉单晶硅(CZSi)中流动图形缺陷(FPDs)在Secco腐蚀液中的形成及其演变过程进行了研究.腐蚀时间分别是5min、10mi......
研究了不同气氛下快速预热处理（RTA）后，硅片中的流动图形缺陷（FPDs）密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区（MDZ）之间的关系．硅片经过高温快......
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜（AFM）对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷（FPD）的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进......
本文评述了近年来着重研究的COP、LSTD、FPD和BMD等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷 ,提高GOI合格......
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷（voids）和氧化诱生层错（OSFs）的行为。从两种晶体的相同位置取样......
重掺杂直拉硅单晶既可以消除CMOS器件的闩锁效应,也能够有效地降低器件的功耗,而广泛用作硅外延片的衬底材料。氧沉淀和空洞型缺陷......
本文研究了大直径直拉硅单晶中的原生微缺陷—流动图形缺陷（flow pattern defects，FPDs）。分析了FPDs的微观形貌，及其在Secco腐蚀液中......
本文将CZ硅单晶片在Secco腐蚀液中择优腐蚀后，用光学显微镜和原子力显微镜对流动图形缺陷(flow pattern defects, FPDs)在硅片中的......
