偏振不灵敏相关论文
用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显......
优化设计了 1.5 5 μm In Ga As P/In Ga As P张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构 .利用 k· p方法计算了多量子阱的价带......
研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B......
在光通信系统中,使用偏振不灵敏的光放大器,可补偿通信系统中的光损耗.本文研究InP基应变补偿结构偏振不灵敏光放大器(SOA).......
随着宽带传输和宽带接入以及全光网的组建和发展，大带宽偏振不灵敏半导体光放大器(semiconductor optical amplifier, SOA)由于其易......
提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析......
通过理论分析和计算表明,适当地增加反射率,在同样的工作电流下,半导体光放大器(SOA)的增益将有所增大。合理地调节抗反膜的折射率......
采用渐变应变有源区结构 ,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器 ,工作电流在 6 0～ 16 0mA范围内 ,其 3dB带宽范围不小于 35nm ,偏振不......
优化设计了1.55μm InGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构.利用k*p方法计算了多量子阱的价带结构,计算中考......
研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85......
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不......
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角......
采用渐变应变有源区结构，制备出偏振不灵敏半导体光学放大器，工作电流在60－160mA范围内，其3dB带宽范围不小于35nm，偏振不灵敏度小于0．35d......
提出一种新型的半导体光学放大器结构，并从增益谱和能带结构等角度分析其特征，得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律，通过剖析该结构......
用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器，应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱，实验测量的调制器调制性能显示出器件......
研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关．该结构具有显著的带填充效应，从而导致在80mA的注入电流下，器件的3dB光带宽大于85nm(......
优化设计了1.55μmInGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构，利用K·P方法计算了多量子阱的价带结构，计算中......
采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料.利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵......
半导体光放大器(SOA)是未来全光网中十分重要的光有源器件,无论是在光信号处理、光通信网络,还是在生物医学光子学、光传感等领域......
