在中波红外波段(3~5μm),PtSi/Si肖特基势垒探测器在大规模焦平面阵列中得到迅速发展,但量子效率是制约其发展的关键因素之一.降低......

基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性......

近年来，作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，GaN基氮族半导体器件在高温.高频.大功率器件领域具有广阔的应用前景，在国内外得到了......

在＜１００＞取向的金刚石衬底上，用微波ＰＣＶＤ法进行同质外延，掺杂和Ｓｃｈｏｔｔｙ特性的实验研究，总结了反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌、结构的影响，Ｂ／Ｃ比对掺硼......

研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN／GaNHEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前，采用不同的表面处理方法进行实验，发现通过表面......

研制成功具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖......