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基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN帽层同势垒层之间的极化作用,器件的有效肖特基势垒高度增加,对应的开启电压变大。
GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响
【摘 要】
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基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室,北京 100029
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2008年期
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