背栅效应相关论文
提出一种用于PDP(Plasma Display Panel)驱动电路的SOI高压P型LDMOS器件结构，分析了其特有的背栅效应，以及漂移区浓度，漂移区长度、栅......
在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性......
该文设计了一套适用于不同工艺的背栅效应测试版图，分别用离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备......
SOI电路与传统的体硅电路比较起来，具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，特别在抗辐照加同电路中SOI的全介质隔离技术具有......
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非......
文内提出了一种正确的直流稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型。所选用的基本方程是:泊松方程、两种载流子的电流连续性方程......
设计了一套适用于二种工艺的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺 半绝缘ＧａＡｓ衬底上制备ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴｓ器件。研究了这二种......
随着集成电路集成度的提高,器件间距不断减小,在GaAs MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应.由于器件间距越来越小,某......
本文着重研究了分立GaAc耗尽型MESFET背栅效应的光敏性和尺寸效应。本文还采用一种实验方法——器件在光照下,观察栅压的调制作用,......
研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响。结果表明，背栅效应使ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差......
为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通......
通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏......
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SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)高压LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semicondutor,横向双扩散金属氧化物半导......
GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、......
