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利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性,发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑场。同AlGaN/AlN/GaNHFET器件一样,该散射机制对方形和圆形的In0.18Al0.82N/AlN/GaN HFET器件中的二维电子气(2DEG)电子迁移率同样有着重要影响。