【摘 要】
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本文较为详细地对铜铟镓硒(C1GS)薄膜太阳电池进行了光学特性优化设计。在综合考虑电池各层材料吸收与反射光学特性基础上，利用干涉矩阵方法理论计算出电池的表面加权平均反射率Rw、CIGs吸收层吸收率Aw等系列光学评价参数。对比分析当采用Rw和Aw两种评价参数条件时CIGs电池光学设计结果差异的原因。当采用Aw作为评价参数时，结合窗口层ZnO和缓冲层CdS的光吸收率，能更为直接地反映出电池的实际光生电
【机 构】
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上海空间电源研究所,上海 200233 上海空间电源研究所,上海 200233 上海太阳能工程技术
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本文较为详细地对铜铟镓硒(C1GS)薄膜太阳电池进行了光学特性优化设计。在综合考虑电池各层材料吸收与反射光学特性基础上，利用干涉矩阵方法理论计算出电池的表面加权平均反射率Rw、CIGs吸收层吸收率Aw等系列光学评价参数。对比分析当采用Rw和Aw两种评价参数条件时CIGs电池光学设计结果差异的原因。当采用Aw作为评价参数时，结合窗口层ZnO和缓冲层CdS的光吸收率，能更为直接地反映出电池的实际光生电流值。当电池附加有减反射膜材料№F2或SiO2时，在模拟计算绘制出电池表面的反射谱和吸收层吸收谱基础上，分析减反射膜层厚度最佳值，以及这两种材料对CIGS电池光学性能的影响。
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本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂，采用正交实验法，以硅烷浓度、TMB掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量对p型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 mm左右的p型微晶硅(μc-Si：H)薄膜，通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等，研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响，并在此基础上作进一步的参数优化，得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN为
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