【摘 要】
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利用X射线荧光光谱、X射线衍射图谱、扫描电子显微镜和原子力显微镜等分析方法,对低温条件下制备的CIGS薄膜的成分梯度及结构进行了分析.研究表明,CIGS薄膜生长方向的择优度Z
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300381
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利用X射线荧光光谱、X射线衍射图谱、扫描电子显微镜和原子力显微镜等分析方法,对低温条件下制备的CIGS薄膜的成分梯度及结构进行了分析.研究表明,CIGS薄膜生长方向的择优度Z=(112)/(220,204)随衬底温度(Tsub)及富铜程度增加而升高;同时随着沉积速率(Vdep)的增加薄膜整体Z值变大.较低衬底温度下高的Vdep使得薄膜在近表面处残留InSe、CuxSe二元相.研究表明,较低的衬底温度不利于元素之间的化合,特别是CIGS薄膜底部和近表面附近的晶粒细碎,结晶质量较差,残留为未充分化合的二元相.在Tsub=475～500时,富铜过程显著改善了低温下沉积吸收层的结晶质量,形成单一的CIGS化合相,提高了电池的电学性能.
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