【摘 要】
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采用磁控三靶共溅射的方法在玻璃衬底上沉积出了Cu-In-Al预制膜,后经硫硒化工艺得到了Cu(In,Al)(S,Se)2 (CIASSe)薄膜吸收层,并对薄膜样品进行了XRD、EDAX、紫外-可见分光光
【机 构】
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内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室,内蒙古大学物理科学与技术学院 0100211
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采用磁控三靶共溅射的方法在玻璃衬底上沉积出了Cu-In-Al预制膜,后经硫硒化工艺得到了Cu(In,Al)(S,Se)2 (CIASSe)薄膜吸收层,并对薄膜样品进行了XRD、EDAX、紫外-可见分光光度等结构、成分和光电性能进行了表征.研究了溅射功率、硫硒化温度及时间等工艺参数,对CuInAlSSe薄膜的结构、成分及光电性能的影响.结果表明,:在CIA30W,Al60W,Cu50W三靶共溅的组合功率下,在540℃热处理,20min后所得薄膜为贫铜的黄铜矿结构,晶体的晶化较好,晶粒沿着(112)晶向择优生长,薄膜成分接近理想的化学计量比,且其光学带隙约为1.40ev.
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