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激光掺杂形成P—N结是近年来出现的一项新技术，对制造核探测器将会显示出巨大的优越性。本实验采用高阻区熔硅单晶片，经常规清洗后在其表面蒸一层Ga，厚度不超过1μm。用调Q红宝石激光器对此硅表面进行辐照，激光波长为6943A，脉冲宽度为30ns，光束直径为4～8mm，功率密度为10～120MW/cm。辐照后清洗表面多余的Ga，测量正、反向电阻，并用热探针测导电类型。结果表明，对激光功率密度大于一定值的辐照样品，其表面已形成P-N结，并有明显的光敏性。（王太和摘）