UHV/CVD生长高质量亚微米薄硅外延层

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：smartdudu

【摘要】

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本文介绍了一台在原有第一代超高真空化学气相沉积系统基础上自行研制的第二代新型的UHV/CVD,反应室本底真空可达5.0×10Pa,它由气路部分、控制部分、主体部分组成,能够进行3

【作者】

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吴贵斌叶志镇崔继锋黄靖云赵炳辉

【机构】

：

浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

【出处】

：

第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

质量亚微米化学气相沉积系统英寸外延生长控制部分超高真空掺杂浓度本底真空硅衬底反应室第二代层厚度组成气路晶层基础硅片

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本文介绍了一台在原有第一代超高真空化学气相沉积系统基础上自行研制的第二代新型的UHV/CVD,反应室本底真空可达5.0×10<-8>Pa,它由气路部分、控制部分、主体部分组成,能够进行3英寸或4英寸硅片外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度0.1~0.5μm,掺杂浓度为1×10<17>cm<3>.

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