【摘 要】
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本文通过对SRAM芯片背面进行减薄去除衬底处理,直接从集成电路背面将532nm激光作用在PDSOI SRAM有源区,测试出了不同PDSOI SRAM电路单光子吸收激光脉冲翻转所需能量.并将上述
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京市朝阳区北土城西路3号,100029
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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本文通过对SRAM芯片背面进行减薄去除衬底处理,直接从集成电路背面将532nm激光作用在PDSOI SRAM有源区,测试出了不同PDSOI SRAM电路单光子吸收激光脉冲翻转所需能量.并将上述PDSOI SRAM在重离子加速器上进行了不同能量单粒子翻转测试,测试出了各电路的LET翻转阈值.测试结果比对后表明,单光子吸收脉冲激光翻转所需有效能量与重离子单粒子翻转的LET翻转阈值成良好的线性关系.
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