【摘 要】
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用X一射线衍射(XRD)测试研究了熔体外延(ME)生长的截止波长为11-12μm的InAs0.04Sb0.96的结构性质。研究了不同生长条件对InAs0.04Sb0.96外延层结晶质量的影响。结果表明,外延层的结晶质量与生长时的降温过程以及生长舟滑块的重量密切相关。采用60克重的滑块和0.5℃/分的降温速度获得了最佳的结晶质量。用傅里叶红外光谱仪测量了外延层的透射光谱,首次观察到重量不同的滑块下生
【机 构】
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同济大学电子与信息工程学院,上海 201804 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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用X一射线衍射(XRD)测试研究了熔体外延(ME)生长的截止波长为11-12μm的InAs0.04Sb0.96的结构性质。研究了不同生长条件对InAs0.04Sb0.96外延层结晶质量的影响。结果表明,外延层的结晶质量与生长时的降温过程以及生长舟滑块的重量密切相关。采用60克重的滑块和0.5℃/分的降温速度获得了最佳的结晶质量。用傅里叶红外光谱仪测量了外延层的透射光谱,首次观察到重量不同的滑块下生长的InAs0.04Sb0.96外延层的截止波长的变化,这归因于不同滑块引起的外延层能带弯曲参数的变化。用液相外延(LPE)法在InAs0.04Sb0.96表面生长了掺Zn的p-InSb层,获得了n-InAs0.04Sb0.96/p-Insb异质结,测得的I-V特性曲线显示出了结的整流性质,从而为制作长波InAsSb红外探测器打下了基础。
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为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右。工作电流1.6
采用金属Ti插入层在氧化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。金属Ti插入层有助于晶体质量的提高,X射线衍射测量发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽只有260 arcsec。扫描电子显微镜测量显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.最后研究了样品在低温下的荧光特性,证明了得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。
采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现存HVPE GaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错位错密度。此外,研究了用特定的x射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,氢化物气相外延生长的六方相的Ga
使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不同的温度进行退火。用传输线方法研究不同温度下的比接触电阻率,发现在500℃退火30s时得到了比接触电阻率的最优值5.8×102
自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A鼍级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性。采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压Vds=33V时,器件连续波输出功率18.2w,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0％.2.5mm×4 GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益
生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)系统上生长激光器外延片。制作了条宽分别为8μm、4μm、2.5μm的脊形波导激光器。通过对不同脊形条宽激光器脉冲激射波形的测量来比较他们的温度特性。通过热学模拟计算发现,在相同电流密度下脊形条宽越小有源区温度越低。其中条宽4μm的激光器实现了低温243K的连续激射。条
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大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在P型GaN和InGaN/GaN多量了阱(MOW)有源区之间插入P型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效的解决了大注入下载流子泄露问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MOB样品的光
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