TOPCon电池产业化技术研究

来源 :第二届全国太阳能电池材料与器件大会论文集 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chnool
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硅在自然界中储量丰富,环境友好,晶体硅制备工艺成熟,易于获得纯度高且晶格完美的衬底,是太阳电池的首选材料,晶体硅太阳电池也因此成为当今光伏市场的主流技术。光电转换效率是太阳电池的核心技术参数,晶体硅电池效率损失主要来自以下几个方面:(1)太阳光在电池表面反射损失;(2)太阳光长波透射损失;(3)高能量光子损失;(4)电子-空穴对分离输运损失;(5)电子-空穴对复合损失;(6)金属-硅接触复合损失。为降低电池效率损失,多种新型的晶体硅电池结构被开发出来。TOPCon电池采用具有隧穿效应的氧化硅薄膜和掺杂多晶硅薄膜钝化n型硅电池的背表面以及金属电极接触区,显著提升电池的开路压;相对于PERC电池和HJT电池,TOPCon电池的理论效率极限更高,为28.7%,而其产业化效率在24%左右,因此仍有很大提升空间,此外,TOPCon电池的制造成本也在快速下降,竞争优势愈发明显。英利TOPCon电池技术针对产业化工艺方案开展研究,制备了高质量的背表面隧穿钝化接触层,同时开发了发射极叠层复合钝化层技术以及低表面复合掺杂技术,助推TOPCon电池效率的进一步提升。
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