硅的纳米结构如：纳米线阵列在晶体硅太阳能电池中的应用成为当今世界硅基太阳能电池的研究前沿,得到了研究的广泛关注[1-3].硅基纳米线阵列具有极低的表面反射率,能够极大的提高传统晶体硅太阳能电池的光吸收特性,因此,纳米线阵列可取代传统电池结构中的金字塔结构形成纳米线阵列太阳能电池.然而,在纳米线阵列太阳能电池中,纳米线阵列与其上的金属电极的接触面积很小,通常只有纳米线顶部的区域能够与金属电极形成接触.这使得电池的接触特性恶化,串联电阻变大.极大制约了纳米线阵列太阳能电池的效率进一步提高.本文创新的提出了采用“二次选区发射法”在纳米线阵列的顶部形成高掺杂区,提高了半导体一侧的掺杂浓度,实验结果表明能够有效提高纳米线太阳能电池的串联电阻,使最终电池的转化效率提高.此外,本文还通过测试从电池内部机理角度着重讨论了选区发射法对于提高电池光伏特性的原因,为纳米线阵列太阳能电池的转化效率提高打下了基础.