【摘 要】
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利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法沉积SiN薄膜,衬底采用多晶硅(厚度大约为330±40μm,电阻率为0.5~2.0Ωcm),采用常规制备参教条件沉积SiN薄膜,之后对样品进行不同条件
【机 构】
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河北工业大学 信息功能材料研究所,天津 300130 北京市太阳能研究所,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法沉积SiN薄膜,衬底采用多晶硅(厚度大约为330±40μm,电阻率为0.5~2.0Ωcm),采用常规制备参教条件沉积SiN薄膜,之后对样品进行不同条件的热处理.热处理采用快速热退火(RTA)的方式在氮气氛下进行退火温度为350℃-1100℃,退火温度为15s-180s.最后,通过运用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)对样品进行测试,从而获得薄膜少于寿命.从测试结果可以看出,退火引起大量H的逸出,使得样品的缺陷态密度大大增加,进而导致少子寿命降低,尤其在退火温度大于650℃后,少子寿命下降趋势急剧增大.
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