【摘 要】
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从晶体Si电池的正向和反向特性出发,对晶体Si光伏组件热斑效应的产生做了理论分析。并通过光伏组件中不同逆电流的单晶Si电池遮挡研究,得到了太阳电池逆电流对热斑保护的限制
【机 构】
:
西安交通大学理学院,西安 710049
【出 处】
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2010年全国半导体器件技术研讨会
论文部分内容阅读
从晶体Si电池的正向和反向特性出发,对晶体Si光伏组件热斑效应的产生做了理论分析。并通过光伏组件中不同逆电流的单晶Si电池遮挡研究,得到了太阳电池逆电流对热斑保护的限制条件。对于应用光伏组件的单晶Si电池,其逆电流必须控制在1.9 A以下;运用红外成像验证了逆电流的大小确实影响晶体Si光伏组件的热斑温度。因此,在光伏电池生产中,应将晶体Si电池的逆电流控制在一定范围内,以防热斑效应的产生,并能提高组件的可靠性。
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