SIMOX SOI材料顶层硅位错密度的降低

来源 :第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:c1093682
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SOI材料中顶层硅的质量直接影响到制做的器件性能.本文对顶层硅中出现的位错现象进行了分析,并结合实验,提出了相应的解决措施.
其他文献
本文描述SOI材料制备工序中,注氧机对SOI材料在离子注入过程中产生粒子污染,影响其顶层硅的性能,结合SIMS测试和ICP-ABS测试的结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面分析粒子污染的机理,并提出相应的解决措施.
电子束光刻技术是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,尤其在百纳米到纳米加工领域的科研和开发中,电子束光刻技术起到不可替代的作用.本文重点介绍JEOLJBX-5000LS电子束对准标记的检测技术,有助于我们在利用电子束光刻技术研制开发集成电路时,优化对准标记制作工艺,提高电子束光刻套准精度.
电子束曝光是迄今为止分辨率最高的微细加工手段之一,是生产及研制微电子器件及特种微型器件的关键性技术.文章介绍了我所最新研制的M24100-1/UM型电子束曝光机的主要技术指标、原理、结构及实验结果,并扼要介绍了影响电子束图形精度变化的主要原因及具体解决措施.
本文介绍了精密工件台在电子束曝光机中的主要作用及其构成;阐述了精密工件台在材料、导向、驱动、控制、测量、真空密封等方面所采用的新技术.目前应用在电子束曝光机中的精密工件台达到的最好技术指标是:激光干涉仪测量的最小分辨率为0.3nm;工件台的最大速度为400nm/s;最大加速度为1g;其最大行程可用以加工300mm直径硅片;最后指出了精密工件台的发展趋势-高速度、高精度、大行程.
本文针对正在研制的DY2001A电子束曝光机所需软件进行分析.首先介绍了任务的目的和当前现状;然后从系统研制的角度分析其构成;最后基于现有条件,提出总体要求、方案选择和重点难点和创新点.
AlGaN/GaN HEMT作为一种新材料、新结构器件是目前微电子领域的一个研究热点,国内在材料和器件研制方面都取得了一定进展.本文介绍分析了传统的平面式、台面式和作为功率、开关器件应用的四种AlGaN/GaN HEMT结构,得出深亚微米栅条的制备是限制器件性能的主要因素之一.与此同时,针对细栅和大源漏,提出用电子束和光学曝光相结合的混合光刻技术实现AlGaN/GaN HEMT制备,并探讨了采用这
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本文提出了将本征窗函数法和数学上的最小二乘原理结合的声表面波滤波器设计方法.该方法具有本征函数法和窗口函数法的优点,同时又采用了最小二乘法来提高设计精度.减小了叉指条数,并可以实现高的阻带衰减.
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