论文部分内容阅读
本文立足于同常规CMOS工艺兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的工艺解决方案,包括了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成.经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件模拟和体硅衬底电感的初步实验,证明这一简洁的工艺方案是可行的.
电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的解决方案
【摘 要】
：
本文立足于同常规CMOS工艺兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的工艺解决方案,包括了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成.经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件模拟和体硅衬底电感的初步实验,证明这一简洁的工艺方案是可行的.
【机 构】
：
中国科学院微电子中心(北京)
【出 处】
：
第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
：
2003年2期
其他文献
本文在Bresenham算法的基础上,提出了一种圆生成算法及填充策略.该方法通过设置决策函数和迭代增量,判断最接近圆函数曲线的象素点,从而得到和圆函数图形逼近较好的曲线图形.这种算法应用于以DSP芯片为基础的电子束曝光机图形发生器,可以快速且较好地得出圆图形单元的各象素点,输出信号至D/A通过信号转换控制偏转放大器绘制图形.此算法适于硬件完成,简化了数据处理过程并提高了图形绘制速度和图形精度.
在ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了Si、SiO陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了"微掩膜现象"问题,刻蚀获得了Si和SiO陡直图形,并将这一刻蚀技术用于AWG的制作.
我们在传统微电子加工基础上结合纳米组装技术构建了基于多壁碳纳米管的纳米电子学器件.在低场下测得导电通道有金属型和半导体型两种.在高场下的电学特性测量表明纳米碳管的最外层管壁对电流的传输起主要作用.
通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO上沉积AlO薄膜,在能量120keV剂量5×10cm下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低.光透射谱表明几乎所有的测试范围内尤其在1.53um处700℃退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1.53um波长处透射强度随退火温度的变化跟PL谱中发光强度的变化相反.说明Er离子在514
本文描述SOI材料制备工序中,注氧机对SOI材料在离子注入过程中产生粒子污染,影响其顶层硅的性能,结合SIMS测试和ICP-ABS测试的结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面分析粒子污染的机理,并提出相应的解决措施.
电子束光刻技术是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,尤其在百纳米到纳米加工领域的科研和开发中,电子束光刻技术起到不可替代的作用.本文重点介绍JEOLJBX-5000LS电子束对准标记的检测技术,有助于我们在利用电子束光刻技术研制开发集成电路时,优化对准标记制作工艺,提高电子束光刻套准精度.
电子束曝光是迄今为止分辨率最高的微细加工手段之一,是生产及研制微电子器件及特种微型器件的关键性技术.文章介绍了我所最新研制的M24100-1/UM型电子束曝光机的主要技术指标、原理、结构及实验结果,并扼要介绍了影响电子束图形精度变化的主要原因及具体解决措施.
本文介绍了精密工件台在电子束曝光机中的主要作用及其构成;阐述了精密工件台在材料、导向、驱动、控制、测量、真空密封等方面所采用的新技术.目前应用在电子束曝光机中的精密工件台达到的最好技术指标是:激光干涉仪测量的最小分辨率为0.3nm;工件台的最大速度为400nm/s;最大加速度为1g;其最大行程可用以加工300mm直径硅片;最后指出了精密工件台的发展趋势-高速度、高精度、大行程.
本文针对正在研制的DY2001A电子束曝光机所需软件进行分析.首先介绍了任务的目的和当前现状;然后从系统研制的角度分析其构成;最后基于现有条件,提出总体要求、方案选择和重点难点和创新点.
AlGaN/GaN HEMT作为一种新材料、新结构器件是目前微电子领域的一个研究热点,国内在材料和器件研制方面都取得了一定进展.本文介绍分析了传统的平面式、台面式和作为功率、开关器件应用的四种AlGaN/GaN HEMT结构,得出深亚微米栅条的制备是限制器件性能的主要因素之一.与此同时,针对细栅和大源漏,提出用电子束和光学曝光相结合的混合光刻技术实现AlGaN/GaN HEMT制备,并探讨了采用这