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文章简述了采用局域缺陷促进硅光吸收特性的发展状况,概括了用离子注入等技术引入局域缺陷提高硅光吸收的技术,探讨了这种技术方案的潜力.
改进硅光伏特性研究的发展动态
【摘 要】
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文章简述了采用局域缺陷促进硅光吸收特性的发展状况,概括了用离子注入等技术引入局域缺陷提高硅光吸收的技术,探讨了这种技术方案的潜力.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所(北京)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
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2003年期
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