【摘 要】
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ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与研究,目前已取得重大进展。主要表现在以下两个方面：发明了多种p型掺杂方法：在获得性能较好的p型ZnO薄膜的基础上,结合ZnO/ZnMgO多量子阱结构,研制ZnO-LED原型器件,在室温下实现了较好的近带边电致发光。
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