掺杂方法相关论文
ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制......
二氧化硅气凝胶广泛用于各种航天器、飞行器的热防护中,添加遮光剂或纤维能大大改善其在高温下的隔热性能.本文通过计算辐射特性得......
利用半导体化合物制作气敏元件,近年来研究得较为活跃。但是多数是基于半导体气敏材料在与气体接触时,伴随表面吸附或化学反应,导......
制备包含α-Fe2O3与SnO2的双层气敏薄膜，研究发现：Ar＋刻蚀可同时除去薄膜表面的物理吸附氧和化学吸附氧，剩下晶格氧，因而O1s的XPS谱图变......
从理论上对n~(+)在p上和p在n上的HgcdTe光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机理控制的热发生的结......
文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程。并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果
The article introduces the a......
测量了掺锗ＣＺＳｉ中锗的纵向分布形式，发现硅中锗的分布是头部低尾部高，其有效分凝系数Ｋｅ≈０．６６±０．０１．
The longitudinal distribution of germanium......
The rare earth element Gd is doped into N Si substrate using thermal diffusion process. The rectifying contact with ......
文章介绍了磷化铟中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点、原理和退火过程，并简要介绍了国外的研究情况和取得的研究结果。
The article introduces t......
纳米材料粒径小,比表面积大,呈现出许多不同于一般块状固体材料的性质.BaTiO_3陶瓷是良好的热敏电阻材料及铁电材料,但是其感湿性......
近年来，由于蓝绿发光二极管和激光二极管的发展，宽禁带ＩＩＩＶ 族氮化物和ＺｎＳｅ 基ＩＩＶＩ族半导体材料成为举世瞩目的研究热点之一。取得这些进展的......
1.计算光机电学及其在微机电垂直腔表面发射激光 器中的应用(Sergey E.Lyshevski)2.用于光学应用的空间毫微结构型硅(Dmitri I.Ko......
一、前言在以前的报道中,我们叙述了磷压法的一般工艺条件和初步结果。在文[1]的基础上,我们对磷压法作了较为深入的研究和改进。......
自1977年导电聚乙炔问世以来,化学家在制备和研究新型导电高分子方面进行了大量的工作。除具有金属导电性的聚乙炔、聚吡咯和聚噻......
采用电极放电高温熔融沾有一定浓度硝酸铒溶液的石英单锥细纤,熔融状态二氧化硅在自身表面张力作用下形成表面光滑的微球,进而实现......
本文分析并总结了涉及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术基本原理的若干问题.介绍了等离子增强原子层沉积(plasma enha......
日本研究者在基于自立式氮化镓衬底上制造出的垂直结构的氮化镓p-n二极管中实现突破性水平的击穿电压和较低的导通电阻。这一产品......
由中国金属学会、中国电子学会和中国轻工学会联合主持召开的第二次全国钨钼冶炼和加工学术会议,于1983年6月24日至28日在天津市......
为了制造性能优良的面垒型辐射探测器,需要具有高电阻率、杂质分布均匀的优质 N 型硅单晶。中子嬗变掺杂(neutron transmutation ......
在１００℃以下用软化学掺杂方法，合成了一系列Ｂａ０．７５Ｓｒ０．２５ＺｒｘＴｉ１－ｘＯ３固溶体纳米粉末。ＸＲＤ物相分析和ｄ－间距－组成图证明，产品为完全互溶取代固溶体。ＴＥＭ观察，粒子为均匀球形......
用软化学合成方法在１００℃以下制备了一系列Ｂａ１１５ｙＬａｙＺｒｘＴｉ１ｘＯ３（０＜ｘ＜０３，０≤ｙ≤００８）固溶体纳米粉末。ＸＲＤ物相分析及晶间距组成图表明，产品为完全互溶取代固溶体。......
聚苯胺是导电高分子化合物中一个极有应用前途的功能高分子材料，而阻碍其应用前景的主要有两个方面：其一是不溶不熔，其二是电导率较低......
本文介绍了氧氮化物SiO_xN_r中的辐射效应。这种氧氮化物薄膜由热生长SiO_2层在1000℃氨-氮气氛中氮化处理形成,其特点具有高的原......
西门子公司曾用SiC做成的PN结来制备蓝色发光二极管。此工艺先在西德汉诺威工业大学进行研究,系采用一种特殊的掺杂方法来获得蓝......
本文介绍了区熔硅单晶掺磷的多级芯掺杂工艺流程及计算依据。实践表明,该方法是行之有效的。
This paper introduces the multi-l......
本文根据硅单晶生长工艺中近年来的发展动向,系统地描述了中子嬗变掺杂硅(NTD)的原理、历史、工艺、放射性、损伤产生机理、退火处......
Hg_(1-x)Cd_xTe材料是一种缺陷半导体,它既可通过控制缺陷成结,也可用掺杂方法成结。掺杂的方法又有扩散及离子注入两种。对不同......
中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成......
本文介绍了一种新的掺杂方法,使辉光放电制备的掺杂a-Si∶H不受氢化物的限制。 a-Si(p):H的红外吸收谱表明,Si-H在2000cm~(-1)处的......
硅(锂)探测器级硅单晶既要纯度高、又要控制电阻率范围,并能制造成性能优良的探测器。本文从硅烷多晶硅的高纯特点出发,根据钼管多......
本文介绍了目前区熔掺杂方法的现状、区熔气相掺杂的优点和基本原理及工艺。气相掺杂成功地应用于区熔在国内还属首次尝试。实践证......
本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获......
本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究．结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＰＥＴ．器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结......
稀土掺杂光纤对于诸如光纤激光器和光纤传感器等应用领域具有吸引力。美国索斯安普敦大学电子学与计算机科学系的光纤小组开发了......
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究......
自1966年研制出硫系玻璃半导体开关元件以来,国内外对非晶态半导体的研究工作越来越重视。尤其是1975年英国的斯皮尔(W·E·Spear......
蒸汽掺杂，是一种新型高效的陶瓷材料掺杂方法。它可以有效地控制晶界行为，改善材料性能。该文采用两种不同的掺杂方法的对比，阐明了蒸......
介绍了钨铈电极两种新掺杂方法，并用硝酸铈包覆法作随行料对比。研究和优化了工艺条件及过程参数，证明消除Nox污染的新工艺方法是成......
