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使用电学方法测量半导体器件的结温分布，几十年来一直是微电子领域的一个世界性的科教难题。本文提出了一种崭新的测量器件结温分布的电学方法，即晶体管热谱分析方法。不同于传统测试方法中使用的单一测量电流，热谱分析方法通过多阶梯恒流测量温敏参数，并利用小电流过趋热效应，结合子管并联模型，成功分析出结温分布的不均匀性和不均匀度。热谱分析方法成功解决了上述难题，将对半导体器件可靠性分析产生重大影响，具有重大的经济实用价值。