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气密性是多芯片集成封装组件(MCM)的关键指标之一。AlSiC材料因具有优异性能常被用于封装组件的结构部件，在气密性检漏时存在氦气吸附特性，对组件的气密性质量存在干扰。本文研究了镀层厚度及体系对减弱AlSiC构件吸附及提高封装组件气密性的控制技术，增加镀层厚度能有效减弱AlSiC构件吸附，在镀20μmNi时，AlSiC构件的吸附问题不存在，从而能够有效控制MCM的气密性。