【摘 要】
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Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争，计算了n型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质。结果表明n型掺杂和张应变共同作用可以有效增强Ge直接带发光。
【机 构】
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厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，福建厦门,361005
【出 处】
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2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会
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Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争，计算了n型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质。结果表明n型掺杂和张应变共同作用可以有效增强Ge直接带发光。
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