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n型掺杂Ge相关论文
基于直接带跃迁的n型掺杂张应变Ge的发光性质
Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布,......
会议
张应变
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N型掺杂应变Ge发光性质
应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计......
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N型掺杂Ge
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