【摘 要】
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对4H-SiC MPS器件的正反向特性进行了二维模拟,并根据模拟结果进行了器件的设计和制造。实验测试结果显示,器件的性能与模拟结果吻合,通过一个简单的JTE结构的设计,使得器件具备优异的反向特性,在反向电压为800V时,漏电流只有1×10-4A。器件在反向工作时最大电场达到Em=3.4×106V/cm.这个值已基本达到4H-SiC的理论极限(通常被认为是2-～4×106V/cm)。采用Ti作为肖特
【机 构】
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Institute of Semiconductors Chinese Academy of Science, Beijing, 100083, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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对4H-SiC MPS器件的正反向特性进行了二维模拟,并根据模拟结果进行了器件的设计和制造。实验测试结果显示,器件的性能与模拟结果吻合,通过一个简单的JTE结构的设计,使得器件具备优异的反向特性,在反向电压为800V时,漏电流只有1×10-4A。器件在反向工作时最大电场达到Em=3.4×106V/cm.这个值已基本达到4H-SiC的理论极限(通常被认为是2-～4×106V/cm)。采用Ti作为肖特基接触金属,正向导通电压只有0.7V,在Vf=1.5V时正向电流密度达到240A/cm2。
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以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学水浴沉积法(CBD)制备了具有规则阵列结构特性的CdS/Si-NPA纳米复合体系。结果表明，组成CdS/Si表面阵列的每个柱子均呈现核壳结构。CdS/Si-NPA纳米复合体系在300-800nm波长范围内反射率均小于6％。退火后光致发光谱(PL)均由退火前的双峰变为单一蓝峰。电致发光谱(EL)随电压的升高，峰位蓝移，且峰值增加。
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