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该文利用新型半导体敏感材料和工艺，研制出GJL型硅—兰宝石加速度传感器，为半导体压阻式传感器开拓了一条新路。文章对兰宝石的性能、硅—兰宝石外延材料的特点，力敏应变及力敏电阻设计等问题作了简要介绍。对GJL型硅—兰宝石加速度传感器的组成、工作原理、结构设计、制造工艺与装配，以及主要技术指标等也做了讨论。该仪器可在-55℃～+125℃温度范围内和强磁场下工作，具有精度高、体积小、过载能力大等优点。（小桥摘）