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从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/Si<,1-x>Ge<,x>HEMT结构的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的n<,s>与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Ismail器件的导质结结构进行了优化改进,提高了器件2DEG的n<,s>.
2DEG密度与Si/Si<,1-x>Ge<,x>HEMT结构设计的关系
【摘 要】
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从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/SiGeHEMT结构的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的n与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Ismail器件
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学(陕西西安)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2001年期
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