Si(111)衬底相关论文
用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和 ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD)，光致发光(PL)谱，I-V曲线和光电响......
利用直流磁控溅射法在SI(111)衬底上制备了C轴择优取向一致的ZnO薄膜，在室温下对薄膜 进行了PL谱和XRD测试，ZnO薄膜的PL谱上的本征紫......
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配......
用脉冲激光沉积（PLD）技术制备了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射（XRD）,光致发光（PL）谱,I-V曲线和光电响应谱对......
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,......
利用固源分子束外延（SSMBE）技术，在Si（111）衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜，通过反射式高能电子衍射（RHEED）、红外吸收谱（FTIR）、拉曼光......
波长为532nm的激光促使厚度为5700A的钼膜与P型Si（111）衬底间发生化学反应。x-射线衍射分析表明，界面上生成了单相的Mo5Si3，属六方晶系......
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认......
