单晶膜相关论文
LB膜技术是一种精准控制分子级别厚度的层状结构分子的技术。自从LB膜技术被发明，对表面科学、物理化学、材料化学以及纳米技术......
应用低压CVD和高真空外延技术在Si上生长出γ-AlO/Si薄膜,高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-AlO/Si外延生长,单晶衍射......
繻→（hv，e-h）散射模式可以很好地解释了高激发密度下自由到束缚的发射与近带边缘发射的强度比随着激发密度的增加而增加的实验结果。......
用MOCVD技术在三种气体混合不同即预反应大小不同的反应管中生长掺硅的CaN单晶膜。通过对样品进行光电性能的分析，研究了预反应的大......
对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究，研究表明随SiH/TMGa流量比增大，GaN:Si单晶膜的电子浓度增大，迁移率下降，X射线双晶衍射峰半高宽增加......
本文通过对荣华二采区10...
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/AlO衬底上生长GaN的PL特性与在AlO衬底上生长GaN有......
采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜.然后对样品进行室温光致发光光谱测试、......
获得高质量的ｎ型ＧａＮ基我电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流子浓度高达２×１０＾１９ｃｍ＾－３，迁移率达１２０ｃｍ＾２／Ｖ·......
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实......
提出了定量确定石榴石单晶膜液相外延生长的各项参数的一般方法，对若干实验得到了理想的数据，同时得出了生长优质膜的温度下限和最佳......
通过对石榴石单晶膜生长的分析，在研究总结大量前人工作的基础上，本文首次提出“等效参量”的概念和最大生长速度分析法，找出了若干参......
本文研究了具有单轴及立方各向异性介质中的静磁波,发现了体模式与表面模式的临界角变化及K_x=0时体模式的分裂.结果由La,Ga;YIG单......
本文在77K和N_2激光器3371谱线高密度激发的VPE ZnSe单晶膜上,首次得到了起因于自由激子与自由激子(Ex-Ex)散射的发光谱带(P带),理......
