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研究了Ba<,0.7>Sr<,0.3>TiO<,3>（BST）热释电陶瓷材料在偏置电场下的介电性能变化情况，结果表明：偏置电场不仅抑制了BST材料的介电峰值，而且极大也降低了材料的介电损耗，当工作偏压为1350-1400V／mm时，BST材料具有最佳探测性能。
BST材料在偏压下的介电性能研究
【摘 要】
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研究了BaSrTiO（BST）热释电陶瓷材料在偏置电场下的介电性能变化情况，结果表明：偏置电场不仅抑制了BST材料的介电峰值，而且极大也降低了材料的介电损耗，当工作偏压为1350-1400V／mm时，B
【机 构】
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科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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第十届全国高技术陶瓷学术年会
【发表日期】
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1998年期
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