【摘 要】
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辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本
【机 构】
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电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会
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辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本文采用10KeV X射线对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET而言,ON偏置条件是最劣偏置条件,OFF偏置条件是最优偏置条件.
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