【摘 要】
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将氮和氧离子在不同能量下次次注入于硅圆片并高湿退火,形成具有Si-N-O/Si/SiO夹心埋层的SOI结构.对该样品做了截面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻和击穿场强
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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将氮和氧离子在不同能量下次次注入于硅圆片并高湿退火,形成具有Si-N-O/Si/SiO<,2>夹心埋层的SOI结构.对该样品做了截面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻和击穿场强等测试.发现氮在界面处有明显的富集效应,而且氮在前界面的富集行为明显大于其在后界面的.击穿场强为8×105V/cm,低于低剂量SIMOX样品(4～5.5×106V/cm),这可能是由于其埋层中有大量硅岛有关.
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