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氢化非晶硅薄膜（简记作a—Si：H）是近十年来迅速开发的新型半导体材料。该文简介了a—Si：H的基本特性，叙述该研究采用的光敏电阻结构、高频效电淀积（PCVD）法装置、制备a—Si：H光敏电阻的工艺过程与工艺参数以及改变工艺参数对光敏特性的影响，最后提出今后的设想。（本刊录）
a—Si：H光敏电阻的研究
【摘 要】
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氢化非晶硅薄膜（简记作a—Si：H）是近十年来迅速开发的新型半导体材料。该文简介了a—Si：H的基本特性，叙述该研究采用的光敏电阻结构、高频效电淀积（PCVD）法装置、制备a—Si：H光敏电阻
【机 构】
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哈尔滨电工学院
【出 处】
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1986年中日电子敏感技术科学讨论会
【发表日期】
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1986年期
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