Influence of Post-annealing on Electrical Characteristics of Thin-Film Transistors with Atomic-Layer

来源 :2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：abczxhzxh

【摘要】

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　　The TFTs with atomic layer deposited ZnO-channe1/Al2O3-dielectric were fabricated under the maximum process temperature of 200 ℃.We compared the influences

【作者】

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You-HangWang;He-MeiZheng;Shi-JinDing;

【机构】

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State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics,Fudan University, Shanghai 20043

【出处】

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2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

【发表日期】

：

2016年期

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　　The TFTs with atomic layer deposited ZnO-channe1/Al2O3-dielectric were fabricated under the maximum process temperature of 200 ℃.We compared the influences of annealing temperature and time on the device performance.Excellent electrical characteristics of the TFTs were demonstrated after O2 annealing at 200 ℃ for 35 mins.

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