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介绍了当前平面高压VDMOS的发展现况,分析了平面高压VDMOS栅结构对其交流特性的影响，利用SILVACO仿真软件模拟了器件结构及导通状态下交流特性，结合现有平面高压VDMOS工艺流程，通过采用双栅结构和分裂栅结构两种方式，实现低Qg器件的设计，并流片验证，经过测试及上机评价，满足整机要求。
特殊栅结构的平面高压VDMOS研制
【摘 要】
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介绍了当前平面高压VDMOS的发展现况,分析了平面高压VDMOS栅结构对其交流特性的影响，利用SILVACO仿真软件模拟了器件结构及导通状态下交流特性，结合现有平面高压VDMOS工艺流程，
【机 构】
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无锡华润华晶微电子有限公司,江苏 无锡 214061
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2013年期
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