【摘 要】
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提出了一种结构简单的高精度CMOS基准电压源电路,与传统的带隙电压基准电路相比,只增加一个电阻和一组电流镜,产生含有高阶项的正温度系数电流对VBE的负温度系数补偿,从而得到高精度、低温漂的带隙基准电压源.采用MagnaChip0.5μm标准CMOS工艺,使用HSPICE仿真,在-40～125 ℃温度范围内,温度系数为2.335ppm/℃,电源抑制比65dB.
【机 构】
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电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会
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提出了一种结构简单的高精度CMOS基准电压源电路,与传统的带隙电压基准电路相比,只增加一个电阻和一组电流镜,产生含有高阶项的正温度系数电流对VBE的负温度系数补偿,从而得到高精度、低温漂的带隙基准电压源.采用MagnaChip0.5μm标准CMOS工艺,使用HSPICE仿真,在-40～125 ℃温度范围内,温度系数为2.335ppm/℃,电源抑制比65dB.
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