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介绍了互补双极工艺的发展过程、自身优势及其在产业中的应用，讨论了典型的现代互补双极工艺中的SOI全介质隔离和多晶硅发射极的特点，概述了互补双极工艺的发展趋势。
互补双极工艺在模拟集成电路中的应用研究
【摘 要】
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介绍了互补双极工艺的发展过程、自身优势及其在产业中的应用，讨论了典型的现代互补双极工艺中的SOI全介质隔离和多晶硅发射极的特点，概述了互补双极工艺的发展趋势。
【机 构】
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模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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