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暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对于GaInAsSb红外探测器的暗电流特性的改善和动态电阻的提高.
GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究
【摘 要】
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暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对于GaInAsSb红外探测器的暗电流特性的改善和
【机 构】
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中国科学院上海信息技术与微系统研究所(上海)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年10期
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