利用界面固定负电荷在MIP-AlGaAs中构造感应势的理论计算

来源 :中国第七届光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wwp8133
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文介绍了利用界面固定负电荷在MIP-Al<,x>Ga<,1-x>As中产生的感应势,并用于提高Al<,1-x>Ga<,x>As/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法.报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-Al<,x>Ga<,1-x>As中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值.
其他文献
CuInS薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳能电池材料.为了用化学水浴法制备CuInS薄膜,本文研究了化学水浴法制备CuS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分.并且对薄膜的光学性质进行了讨论.
本实验利用电沉积的方法制备CuS薄膜.研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuS薄膜性质的影响.研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的CuS其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的CuS其主要晶面是(842).当用NaSO作为硫源的时候得到的是单斜的CuS其主要界面是(842),当用硫脲作为硫
多晶CuInSe或称Cu(In,Ga)Se(简称CIS或CIGS)材料在薄膜太阳电池中具有重要的应用.CIS/CIGS的制备方法很多,各种制备方法的薄膜,其形成机理与不相同,本文试图讨论几种不同的制备方法下,薄膜的形成机理.
采用ZnTe/ZnTe:Cu作为复合背接触层,对比有、无复合背接触层CdTe太阳电池的参数.研究了本征层厚度、掺杂浓度和退火温度对太阳电池性能的影响.结果表明复合背接触层能改善背接触,且能较大幅度提高CdTe太阳电池的转换效率,本征层厚度和高温退火都能提高开路电压.用ZnTe/ZnTe:Cu作为复合背接触层获得了填充因子为73.14﹪,转换效率为12.93﹪的小面积电池.
我们采用超声雾化CVD工艺来制作二氧化锡薄膜,研究了各种工艺参数对SnO薄膜的性质的影响,摸索了最佳的工艺条件,研究了掺杂对膜的影响,分析了氟化氢和氟化氨掺杂的不同点,同时讨论以何种比例,何种条件,能使得沉积的膜电阻率最小.
本文介绍了一种新型薄膜太阳电池Al/CN肖特基氮化碳薄膜太阳电池,采用离子束溅射,石墨靶,沉积氮化碳薄膜.用ITO为衬底的ITO/CN/Al结构,在100mW/cm光照下,开路电压达200mV.短路电流达1.57μA/cm.文章中,给出了该原形器件可能的能带结构模型.
三元化合物半导体CuInS,由于具有与太阳光谱非常匹配的宽直接带隙(1.55eV),而成为优良的高效薄膜太阳电池吸收层材料.本文报道采用射频(RF)反应溅射技术,以铜银(Cu-In)合金为靶材、HS为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS薄膜的实验结果.分别运用扫描电镜(SEM)、能量散射X-射线谱(EDX)、X-射线衍射谱(XRD)和表面轮廓仪(α-step)等对沉积样品的
本文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件:源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.
微灌技术是世界农业灌溉技术中的一项新技术.具有相当突出的节水、高产的特点.本文介绍了德国六佳太阳能公司开发的小型微灌系统,重点讲述了小型滴灌网络的设计范例.
利用标准电池,通过对太阳电池的光谱响应,光谱,温度和光强对电流密度影响的分析,找到太阳电池在非标条件下向标准条件转化的一般方法.并通过多次实验给出该转换方法中的一些经验参数.