ZAlSi12Cu2Mg1合金具有铸造流动性好、无热裂倾向、热膨胀系数小等优点,是一种重要的工程材料。但由于其耐磨性、耐蚀性、耐热性较差,使用寿命短,限制了其广泛应用。如采用微弧氧化技术在其表面形成致密陶瓷层,则有望改善上述性能。目前对铸造铝合金表面微弧氧化过程研究较少,为此,对铸造铝合金表面进行微弧氧化研究很有必要。本文采用WHD-30多功能微弧氧化电源进行微弧氧化,通过控制电源电参数在ZAlSi12Cu2Mg1合金表面获得了陶瓷层。测试了陶瓷膜层厚度、陶瓷膜层平均硬度,采用XRD、SEM、TEM分析了陶瓷膜层相结构及表面形貌。研究结果表明,电解液组成为Na2SiO3 8.0 g/L+NaOH 2.0 g/L+Na2EDTA 2.0 g/L,正/负向电压为420/110V,电源频率控制在100Hz在时,可获得性能较好的陶瓷膜层。其厚度为147μm,硬度为HV550.6,膜层主要由γ?Al2O3、α?Al2O3和Al 2SiO5组成;陶瓷层的形成包括氧化过渡阶段和氧化烧结阶段。在氧化过渡阶段,试样表面生成一层以非晶Al2O3为主的非晶膜层,以向外生长为主;在氧化烧结阶段,新形成的Al2O3熔融物与部分先形成的非晶Al2O3膜发生液相烧结反应,烧结形成以晶体Al2O3为主的陶瓷层,以向内渗透氧化为主。在上述电解液中加入添加剂A,可明显改善成膜过程的稳定性,微弧氧化反应过程中噪音减弱,电离气体也减少;电解液无浑浊现象产生,可重复利用。XRD分析结果表明,膜层中α?Al2O3相的含量较未加入添加剂A的含量要高,这说明其有助于陶瓷膜层中α?Al2O3相的形成。