本文采用磁控溅射法在Si(100)单晶衬底上制备ZrxCu1-x (0.15≤x≤0.95)二元非晶合金薄膜,采用能谱仪(EDS)表征薄膜的成分,采用台阶仪研究溅射参数如溅射时间、衬底温度、溅射功率等对于薄膜的沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)技术和透射电子显微(TEM)技术研究了各个溅射参数对薄膜结构的影响。EDS分析结果表明,薄膜的成分与靶材的成分基本一致。台阶仪分析结果表明,薄膜的沉积速率随溅射时间的增长而增加,随溅射功率的升高而增加,随衬底温度的升高而降低。XRD分析结果表明,室温下各成分ZrxCu1-x合金薄膜都显示出很强的非晶形成趋势。当衬底温度升高到300℃时,Zr50Cu50、Zr35Cu65成分的薄膜仍然显示出较强的非晶形成趋势。在整个成分范围内,随着x的增加,ZrxCu1-x薄膜合金的非晶形成能力有明显的连续变化趋势,表现出与相应的块体合金不同的变化规律。衬底温度的升高和偏置电压的施加均不利于非晶结构的形成。硅基片晶向与薄膜的厚度均对薄膜的结构影响不明显。同样温度的退火对于薄膜结构的影响不如衬底温度对其影响明显,热处理温度应比衬底温度高才有利于非晶的晶化。在溅射功率为200 W时制备的Zr50Cu50薄膜,XRD结果为两个非晶弥散峰。TEM分析结果表明,此薄膜形貌为典型的非晶形貌,说明此薄膜样品形态仍为均一的非晶相。DSC结果显示两个放热峰,说明Zr50Cu50合金薄膜晶化经历了两个过程。