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本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10^13cm^-2的脉冲中子注量和257Gy（Si）γ总......
采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证.给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理......
本文主要介绍半导体器件及集成电路在各种辐射环境下的损伤失效模式,分析其失效物理机理,提出相应对策,以提高器件及电路的抗辐射......
本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10~(13)cm-2的脉冲中子注量和257Gy(Si)γ总剂......
